Gruppe-III-Nitrid basierte Heterostrukturen besitzen ein internes elektrisches Feld, durch das ein reduzierter Überlapp zwischen Elektron- und Loch-Wellenfunktion entsteht und welches eine verringerte Quanteneffizienz begründet. Wir untersuchen GaN/InGaN-Quantenfilme (engl.: "quantum wells", QW) unter Einfluss externer Spannungen um das innere piezoelektrische Feld zu variieren und somit die optischen Eigenschaften der Quantenfilme zu beeinflussen.
Wir verwenden für die Untersuchungen sowohl die Methoden der zeitaufgelösten Photolumineszenz (TRPL) als auch Pump-Probe-Messungen an einzelnen und mehreren GaN/InGaN Quantenfilmen jeweils unter variierender Verspannung. Diese Verspannung wird mit Hilfe einer Druckzelle uniaxial in Wachstumsrichtung ausgeübt. Zusätzlich messen wir die Spindynamik via Kerr-Rotation um Informationen über die internen elektrischen Felder zu erhalten. Basis hierfür ist der direkte Zusammenhang zwischen diesen Feldern und der Spindephasierungsrate auf Grund des Rashba-Effektes.
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