ArbeitsgruppenAG OestreichForschungsthemen
Zeitaufgelöste PL von InGaN/GaN-Quantenfilmen

Zeitaufgelöste Photolumineszenz von InGaN/GaN-Quantenfilmen

oben links: Quantenfilm-Photolumineszenzspektrum eines einzelen Zeitpunktes. unten links: Streak-Kamera Abbildung der zeitlichen Abnahme der Quantenfilm-Photolumineszenz. unten rechts: Zeitlicher Verlauf der Photolumineszenzintensität eines fixierten Energiewertes.

Gruppe-III-Nitrid basierte Heterostrukturen besitzen ein internes elektrisches Feld, durch das ein reduzierter Überlapp zwischen Elektron- und Loch-Wellenfunktion entsteht und welches eine verringerte Quanteneffizienz begründet. Wir untersuchen GaN/InGaN-Quantenfilme (engl.: "quantum wells", QW) unter Einfluss externer Spannungen um das innere piezoelektrische Feld zu variieren und somit die optischen Eigenschaften der Quantenfilme zu beeinflussen.

Wir verwenden für die Untersuchungen sowohl die Methoden der zeitaufgelösten Photolumineszenz (TRPL) als auch Pump-Probe-Messungen an einzelnen und mehreren GaN/InGaN Quantenfilmen jeweils unter variierender Verspannung. Diese Verspannung wird mit Hilfe einer Druckzelle uniaxial in Wachstumsrichtung ausgeübt. Zusätzlich messen wir die Spindynamik via Kerr-Rotation um Informationen über die internen elektrischen Felder zu erhalten. Basis hierfür ist der direkte Zusammenhang zwischen diesen Feldern und der Spindephasierungsrate auf Grund des Rashba-Effektes.

ANSPRECHPARTNER

PD Dr. Jens Hübner
Weitere Lehrkräfte und Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter
Adresse
Appelstraße 2
30167 Hannover
Gebäude
Raum
125
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