Aktuelle Forschungsthemen
Defekte in Halbleitern für die Photovoltaik
- Lichtinduzierte Rekombinationszentren
- Wechselwirkung von Verunreinigungen
- Ortsaufgelöste Analyse von Rekombinations- und Trapping-Zentren
Neue Charakterisierungsmethoden
- Temperatur- und injektionsabhängige Ladungsträger-Lebensdauerspektroskopie
- Ortsaufgelöste Messung von Ladungsträger-Lebensdauern, Trap-Dichten und Energieniveaus mittels kamerabasierter Methoden (IR, PL)
- Zeit- und temperaturabhängige Messung von Ladungsträger-Lebensdauern und Solarzellenparametern zur Analyse der Kinetik von Defektreaktionen
- Kombinierte Korona-Lebensdauer-Methode zur Grenzflächencharakterisierung
Oberflächenpassivierung und selektive Schichten
- Niedertemperatur-Oberflächenpassivierung (z.B. a-SiNx, a-Si, Al2O3, …)
- Ladungsträgerselektive Schichten (PEDOT:PSS, TiOx…)
- Analyse der fundamentalen physikalischen Passiviermechanismen
- Charakterisierung von Grenzflächeneigenschaften (Zustandsdichte, Rekombination)
- Theoretische Modellierung der Oberflächenrekombination
Die experimentellen Arbeiten der AG Schmidt finden größtenteils am Institut für Solarenergieforschung Hameln (ISFH) statt.