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CHARAKTERISIERUNG VON EINZELPHOTONENEMITTERN

Einzelphotonenquellen spielen eine entscheidende Rolle in der Entwicklung neuer Quantentechnologien. Einzelne Photonen für Anwendungen nutzbar zu machen stellt eine große Herausforderung in der Entwicklung dieser Technologien dar. Aufgrund der geringen Photonenraten isolierter Emitter ist das effektive Einkoppeln der Emission bei möglichst geringem Störsignal besonders herausfordernd. Weiterhin ist für technische Anwendungen ein möglichst gutes Verständnis über alle relevanten Eigenschaften, wie z.B. Linienbreite, Quanteneffizienz und Lebensdauer der Emitter, notwendig.
In unserer Arbeitsgruppe beschäftigen wir uns deshalb mit der Untersuchung und Charakterisierung neuartiger Quantenemitter, um ihre Eigenschaften gezielt nutzbar zu machen.

SPEKTROSKOPIE VON DEFEKTZENTREN IN FESTSTOFFEN

Defektzentren in Atomgittern gelten insbesondere aufgrund ihrer hohen Photostabilität als vielversprechende Kandidaten für integrierte Systeme.
In den vergangenen Jahren haben solche Defektzentren in hexagonalem Bornitrid (hBN) viel Aufmerksamkeit durch ihre spektralen Eigenschaften erlangt. Die Quanteneffizienz dieser Emitter hängt stark von der anregenden Wellenlänge ab und insbesondere unter gleichzeitiger Anregung mit verschiedenen Wellenlängen kann die Emissionsrate signifikant gesteigert werden. Dies gibt Hinweise über die Existenz zusätzlicher Energieniveaus und die Lebensdauer der verschiedenen angeregten Zustände.
Um die spezifischen Eigenschaften und deren zugrunde liegende Levelstruktur neuer Defektzentren zu untersuchen führen wir spektroskopische Messungen an diesen Emittern durch.