Unser Manuskript "A solid-state source of single and entangled photons at diamond SiV-center transitions operating at 80K" wurde zur Veröffentlichung angenommen.
Im Manuskript berichten wir über einen Fortschritt bei der Entwicklung von Quantenlichtquellen. Effiziente Quellen für einzelne und verschränkte Photonen sowie Quantenspeicher werden für Langstrecken-Quantenkommunikationsanwendungen auf der Grundlage von Quantenverstärkern benötigt. Durch lokales Tröpfchenätzen und Nanolochfüllung haben wir durch epitaktisches Wachstum neuartige GaAs-Quantenpunkte hergestellt, die bei 736,2 ± 1,7 nm emittieren. Ihre Emissionswellenlänge liegt in der Nähe des Null-Phononen-Linienübergangs in SiV-Zentren in Diamant, die eine vielversprechende Quantenspeicherplattform darstellen. Bei 4 K emittieren die hergestellten GaAs-Quantenpunkte sowohl hochreine Einzelphotonen (g(2)(0) = 0,07 ± 0,02) als auch polarisationsverschränkte Photonenpaare mit einer hohen Verschränkungstreue von 0,73 ± 0,09. Sie bieten eine hervorragende Gelegenheit für erste Experimente zur Kopplung von GaAs-Quantenpunkten an Silizium-Vakanzzentren in Diamant. Die Realisierung von Festkörper-Quantenrepeatern ist aufgrund ihrer Skalierbarkeit und Kompatibilität mit moderner Halbleitertechnologie von großer Bedeutung. Eine hohe Einzelphotonenreinheit von g(2)(0) = 0,11 ± 0,01 wird sogar bei 80 K, oberhalb der Temperatur von flüssigem Stickstoff, beibehalten, was die praktische Anwendung erweitert.